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60N04-VB TO252功率MOSFET数据手册

2025/08/18·StepFun can make mistakes, check important info.

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60N04-VB TO252 N沟道功率MOSFET数据手册报告

1. 产品概述

型号：60N04-VB TO252
类型：N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
封装：TO-252

2. 主要特性

沟槽式功率MOSFET：采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高开关速度。
100% Rg和UIS测试：确保产品可靠性和耐用性。
符合RoHS指令2011/65/EU：环保无害材料。

3. 应用领域

OR-ing：用于电源冗余配置，提高系统可靠性。
服务器：适用于高性能服务器电源管理。
DC/DC转换器：用于高效能电源转换应用。

4. 关键参数

4.1 绝对最大额定值（TA = 25°C，除非另有说明）

参数	符号	极限值	单位
漏源电压	V_DS	40	V
栅源电压	V_GS	±20	V
连续漏电流（TJ = 175°C）	I_D	45	A
脉冲漏电流	I_DM	200	A
雪崩电流脉冲（L = 0.1 mH）	I_AS	99	A
单脉冲雪崩能量	E_AS	4.8	mJ
连续源漏二极管电流（TC = 25°C）	I_S	90	A
最大功耗（TC = 25°C）	P_D	100	W
工作结温和存储温度范围	T_J, T_stg	-55 to 175	°C

4.2 热阻额定值

参数	符号	典型值	最大值	单位
最大结到环境热阻（t ≤ 10 sec）	R_thJA	32	40	°C/W
最大结到壳热阻（稳态）	R_thJC	0.5	0.6	°C/W

4.3 静态特性（TJ = 25°C，除非另有说明）

参数	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
漏源击穿电压	V_DS	V_GS = 0 V, I_D = 250 µA	40	V
V_DS温度系数	ΔV_DS/T_J	I_D = 250 µA	35	mV/°C
V_GS(th)温度系数	ΔV_GS(th)/T_J	-7.5	mV/°C
栅源阈值电压	V_GS(th)	V_DS = V_GS, I_D = 250 µA	1.5	2.5	V
栅源漏电流	I_GSS	V_DS = 0 V, V_GS = ±20 V	±100	nA
零栅压漏电流	I_DSS	V_DS = 40 V, V_GS = 0 V	1	µA
导通状态漏电流	I_D(on)	V_DS ≥ 5 V, V_GS = 10 V	90	A
漏源导通电阻	R_DS(on)	V_GS = 10 V, I_D = 38.8 A	0.012	Ω
正向跨导	g_fs	V_DS = 15 V, I_D = 38.8 A	160	S

4.4 动态特性（TJ = 25°C，除非另有说明）

参数	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
输入电容	C_iss	V_DS = 15 V, V_GS = 0 V, f = 1 MHz	725	pF
输出电容	C_oss	570	pF
反向传输电容	C_rss	85	pF
总栅电荷	Q_g	V_DS = 15 V, V_GS = 10 V, I_D = 38.8 A	85	120	nC
栅源电荷	Q_gs	17	nC
栅漏电荷	Q_gd	14	nC
栅电阻	R_g	f = 1 MHz	1.4	2.1	Ω
开通延迟时间	t_d(on)	V_DD = 15 V, R_L = 0.625 Ω, I_D ≈ 24 A, V_GEN = 10 V, R_g = 1 Ω	10	20	ns
上升时间	t_r	11	17	ns
关断延迟时间	t_d(off)	35	55	ns
下降时间	t_f	10	15	ns

4.5 体二极管特性（TC = 25°C，除非另有说明）

参数	符号	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
连续源漏二极管电流	I_S	120	A
脉冲二极管正向电流	I_SM	120	A
体二极管电压	V_SD	I_S = 22 A	0.8	1.2	V
体二极管反向恢复时间	t_rr	I_F = 20 A, di/dt = 100 A/µs, T_J = 25°C	52	78	ns
体二极管反向恢复电荷	Q_rr	70.2	105	nC
反向恢复下降时间	t_a	27	ns
反向恢复上升时间	t_b	25	ns